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HC037N06L车灯电源60V30A贴片MOS管

HC037N06L车灯电源60V30A贴片MOS管

简要描述:

HC037N06L车灯电源60V30A贴片MOS管
厂家直销,超高性价比,低开启电压1.5V,低内阻,超低结电容,低开启电压,温升低,转换效率高,过电流大,抗冲击能力强

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深圳惠新晨电子有限公司【中低压MOS管厂家】,供应中低压压N沟道场效应管NMOS管 厂家直销,质优价廉 大量现货 量大价优 欢迎选购,超低内阻,结电容超小,采用沟槽工艺,性能优越

型号:HC037N06L参数:60V30A ,类型:N沟道场效应管,内阻30mR, 超低结电容650pF, 封装:贴片(TO-252),低开启电压1.5V,低内阻,超低结电容,低开启电压,温升低,转换效率高,过电流大,抗冲击能力强 

HC037N06L车灯电源60V30A贴片MOS管

HC037N06L车灯电源60V30A贴片MOS管

 

 

更多型号如下:

型号:HC240N10LS N沟道场效应管,丝印HC310,100V3A 3N10 SOT23-3封装,内阻200mR 

型号:HC160N10LS N沟道场效应管  丝印HC510    100V5A (5N10)SOT23-3封装,内阻155mR,可用于加湿器、雾化器、香薰机、美容仪

型号:HC610            N沟道场效应管    100V6A  6N10  SOT23-3L     内阻80mR

型号:HC160N10L    N沟道场效应管 100V10A(10N10)  TO-252封装,内阻145mR,可用于雾化器、车灯电源等

型号:HC080N10L    N沟道场效应管  100V17A(17N10)TO-252封装, 内阻68mR,可用于加湿器、车灯电源等

型号:HC021N10L    N沟道场效应管    100V35A (35N10)TO-252封装 内阻22mR,可用于工控电源

型号:HC080N10LS  N沟道场效应管   100V15A SOP-8封装                内阻68mR

型号:HC15N10       N沟道场效应管   100V15A(15N10)TO-252封装,  内阻68mR,可用于加湿器、车灯电源等

型号:HC012N06L    N沟道场效应管   60V50A(50N06 )TO-252封装,   内阻12mR,汽车灯电源、电机驱动、控制器等

型号:HC012N06LS  N沟道场效应管 55V12A  SOP-8封装                   内阻13mR

型号:HC037N06L    N沟道场效应管  60V30A(30N06)TO-252封装,     内阻30mR,可用于加湿器、雾化器、香薰机、美容仪

型号:HC037N06LS  N沟道场效应管  60V30A     SOP-8封装                 内阻30mR

型号:HC080N06L    N沟道场效应管  60V17A 15N06 TO-252封装,      内阻70mR

型号:HC080N06LS   N沟道场效应管 丝印HC606  60V6A     SOT23-3封封装           内阻90mR

型号:HC706           N沟道场效应管  60V7A  SOP-8封装                             内阻80mR

型号:HC020N03L    N沟道场效应管  30V30A TO-252                         内阻20mR

型号:HC3600M       N沟道场效应管  30V8A       SOT23-3封装             内阻22mR

型号:HC3400M       N沟道场效应管  30V5.8A    SOT23-3封装             内阻30mR

 

场效应晶体管(Field Effect Transistor缩写(FET))简称场效应管。由多数载流子参与导电,也称为单极型晶体管。它属于电压控制型半导体器件。具有输入电阻高(10^8~10^9Ω)、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点,现已成为双极型晶体管和功率晶体管的强大竞争者。

场效应管是电压控制元件,而晶体管是电流控制元件。在只允许从信号源取较少电流的情况下,应选用场效应管;而在信号电压较低,又允许从信号源取较多电流的条件下,应选用晶体管。

场效应管是利用多数载流子导电,所以称之为单极型器件,而晶体管是既有多数载流子,也利用少数载流子导电,被称之为双极型器件。

有些场效应管的源极和漏极可以互换使用,栅压也可正可负,灵活性比晶体管好。

场效应管能在很小电流和很低电压的条件下工作,而且它的制造工艺可以很方便地把很多场效应管集成在一块硅片上,因此场效应管在大规模集成电路中得到了广泛的应用。

在使用MOS管设计开关电源或者马达驱动电路的时候,大部分人都会考虑MOS的导通电阻,最大电压等,最大电流等,也有很多人仅仅考虑这些因素。这样的电路也许是可以工作的,但并不是优秀的,作为正式的产品设计也是不允许的。

MOSFET因导通内阻低、开关速度快等优点被广泛应用于开关电源中。MOSFET的驱动常根据电源IC和MOSFET的参数选择合适的电路。下面一起探讨MOSFET用于开关电源的驱动电路。

在使用MOSFET设计开关电源时,大部分人都会考虑MOSFET的导通电阻、最大电压、最大电流。但很多时候也仅仅考虑了这些因素,这样的电路也许可以正常工作,但并不是一个好的设计方案。更细致的,MOSFET还应考虑本身寄生的参数。对一个确定的MOSFET,其驱动电路,驱动脚输出的峰值电流,上升速率等,都会影响MOSFET的开关性能。

当电源IC与MOS管选定之后,选择合适的驱动电路来连接电源IC与MOS管就显得尤其重要了。

 

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